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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
16.8
15.2
写入速度,GB/s
10.8
11.8
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2913
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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