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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
46
读取速度,GB/s
16.8
11.0
写入速度,GB/s
10.8
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2481
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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