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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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更快的读取速度,GB/s
21.9
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
31
读取速度,GB/s
16.8
21.9
写入速度,GB/s
10.8
16.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3805
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
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