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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
14.8
写入速度,GB/s
2,061.2
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2014
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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