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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
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差异
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
16.4
17.8
写入速度,GB/s
11.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3462
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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