RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
16.4
16.8
写入速度,GB/s
11.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3009
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link