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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
36
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
19
读取速度,GB/s
16.4
20.4
写入速度,GB/s
11.0
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3855
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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