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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
差异
规格
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
16.4
16.7
写入速度,GB/s
11.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3284
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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