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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
78
左右 62% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
78
读取速度,GB/s
10.6
12.1
写入速度,GB/s
6.8
10.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2113
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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