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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
16.4
15.4
写入速度,GB/s
11.0
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2635
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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