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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
16.4
15.3
写入速度,GB/s
11.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2539
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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