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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
21
读取速度,GB/s
16.4
18.7
写入速度,GB/s
11.0
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3380
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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