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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.6
18.2
写入速度,GB/s
12.0
16.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3748
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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