RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3748
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link