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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs INTENSO 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
36
读取速度,GB/s
16.4
12.1
写入速度,GB/s
11.0
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2061
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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