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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
16.4
17.8
写入速度,GB/s
11.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3660
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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