RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
11.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
3660
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston Kingston DDR2800Mh 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link