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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
16.4
10.3
写入速度,GB/s
11.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2235
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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