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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
3,231.0
15.3
写入速度,GB/s
1,447.3
11.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3041
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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