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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
10.4
13.6
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2120
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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