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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
16.4
16.2
写入速度,GB/s
11.0
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3070
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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