RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
总分
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
64
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
64
读取速度,GB/s
16.4
17.3
写入速度,GB/s
11.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2960
2067
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link