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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.8
14.0
写入速度,GB/s
11.3
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2407
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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