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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
21
读取速度,GB/s
16.8
17.7
写入速度,GB/s
11.3
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2822
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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