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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.8
16.3
写入速度,GB/s
11.3
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2945
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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