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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
71
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
71
读取速度,GB/s
13.8
15.4
写入速度,GB/s
8.4
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1916
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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