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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
27
读取速度,GB/s
16.8
18.4
写入速度,GB/s
11.3
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3388
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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