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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
11.9
14.1
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2388
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Mushkin 994083 4GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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