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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
11.4
14.8
写入速度,GB/s
7.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2340
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Qimonda 64T128020HU3SB 1GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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