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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
31
读取速度,GB/s
16.8
17.2
写入速度,GB/s
11.3
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3652
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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