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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO M418039 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
34
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
20
读取速度,GB/s
16.8
16.0
写入速度,GB/s
11.3
7.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2414
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
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Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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