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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.8
9.3
写入速度,GB/s
11.3
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2107
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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