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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
差异
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.8
17.3
写入速度,GB/s
11.3
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2832
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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