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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.8
18.4
写入速度,GB/s
11.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3277
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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