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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.2
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
41
读取速度,GB/s
16.8
15.5
写入速度,GB/s
11.3
12.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2902
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
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