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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
58
读取速度,GB/s
16.8
17.7
写入速度,GB/s
11.3
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
1968
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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