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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
34
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
19
读取速度,GB/s
16.8
19.4
写入速度,GB/s
11.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3397
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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