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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
18.2
18.6
写入速度,GB/s
11.5
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3843
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
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