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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
18.2
15.5
写入速度,GB/s
11.5
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2364
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
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