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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
18.2
16.2
写入速度,GB/s
11.5
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3215
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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