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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
18.2
16.0
写入速度,GB/s
11.5
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2544
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
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