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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
18.2
17.5
写入速度,GB/s
11.5
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3693
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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