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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
84
左右 42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
84
读取速度,GB/s
10.2
12.5
写入速度,GB/s
8.1
7.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1486
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
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