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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
13.7
写入速度,GB/s
11.5
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2967
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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