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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
18.2
17.7
写入速度,GB/s
11.5
17.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3837
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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