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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
18.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
52
读取速度,GB/s
18.2
20.5
写入速度,GB/s
11.5
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2472
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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