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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
18.2
13.9
写入速度,GB/s
11.5
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2113
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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