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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.9
16.6
写入速度,GB/s
7.5
10.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
2710
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB RAM的比较
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
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Kingston 9905678-121.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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