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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
13.7
14.4
写入速度,GB/s
8.2
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2489
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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