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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
18.2
17.3
写入速度,GB/s
11.5
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3112
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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